熔融石英毛細管膜上的濃度極化效應及其在芯片毛細管電泳中的應用.pdf

1、隨著微流控技術的發(fā)展，微納尺度下分子運動行為的研究成為該領域的一個新的發(fā)展方向，并逐漸形成一個新的研究領域—微納流控學。目前新的微納流控體系的建立和應用仍是研究的熱點，特別是微納界面上的濃度極化效應及其在微量樣品的在線預濃集中的應用潛力更是備受關注。
　　本論文第一章以芯片毛細管電泳中的電進樣濃集為主要背景，介紹了相關的雙電層理論和電動現(xiàn)象理論，對納米與微米通道界面上的濃度極化研究及應用情況進行了綜述。
　　第二章，基于原位

2、刻蝕制備的毛細管導電膜，建立了一個離子通道界面，主要利用熒光顯微成像的方法對該界面上的濃度極化效應進行了研究。在低離子強度條件下，該毛細管膜對荷電組分表現(xiàn)出明顯的濃度極化作用。利用半徑不同的熒光探針分子對膜上的離子通道尺寸進行了表征，初步判斷通道的尺寸在1.2 nm至1.6 nm之間。實驗發(fā)現(xiàn)，刻蝕過程中監(jiān)控電場強度對導電膜的狀態(tài)有一定的影響。
　　第三章，制作了集進樣狹縫和毛細管膜于一體的毛細管芯片。在不同的條件下，對濃度極化進