基于0.18um工藝低電壓、低功耗cmos運算放大器的設(shè)計與研究

1、中文摘要中文摘要電子產(chǎn)品，在電子通訊、微生物、筆記本電腦和醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域的小型化和便攜式，使得通過采用低電壓、低功耗的芯片設(shè)計成為目前市場發(fā)展趨勢，運算放大器作為模擬電路和數(shù)模混合電路的基礎(chǔ)，低電壓、低功耗的設(shè)計有著廣泛的應(yīng)用，同時提高運算放大器的性能可以改善整個電路系統(tǒng)的性能。因此，采用低電壓、低功耗的C O M S 運算放大器設(shè)計是當(dāng)今研究熱點。本文對國內(nèi)外的低電壓、低功耗運算放大電路問題進行了研究和分析，汲取目前集成電路設(shè)計的低電壓、

2、低功耗技術(shù)和先進方法，完成了基于O ．1 8 u r n 工藝低電壓、低功耗C M O S 運算放大器仿真設(shè)計。對運放的各個組成單元、運算放大器的輸入和輸出以及基準電路的仿真調(diào)試，并給出了設(shè)計版圖。其主要技術(shù)指標是，電壓1 ．5 V ，功耗2 8 ．8 5 l a W ，版圖面積0 ．0 0 1 6 m m 2 。關(guān)鍵詞：低電壓；低功耗；運算放大器；C M O S目錄目 ．錄中文摘要???????????????????????????

3、????IA b s t r a c t ．．．??．．．．．??．?????????．．???．???????．?????．．??．．．?．?．．．．．．．．．．I I第1 章緒論?????????????????????????????1¨ 課題背景和研究意義?????????．?????????????一l1 ．2 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀?????????????????????????21 ．3 本課題主要完成的工作?????

4、?????????????????41 ．4 本章小結(jié)????????????????????????????5第2 章C M O S 器件模型與工作特性???????????????????．62 ．1 M O S 器件模型與工作特性????????????????????．62 ．】．1 M O S 管的一階V ／I 特性????????????????????62 ．1 ．2 二級效應(yīng)???????????????????????

5、???92 ．2 M O S 管的大信號模型??????????????????????¨2 ．3 M O S 管的小信號模型??????????????????????1 22 ．4 本章小結(jié)???????????????????????????．1 6第3 章低電壓低功耗C M O S 運放概述?????????????????l 73 ．1 集成運放概述?????????????????????????．1 73 ．1

6、．1 運算放大器的發(fā)展概況???????????????????一l 73 ．1 ．2 集成運放的基本結(jié)構(gòu)????????????????????一l 73 ．1 ．3 C M O S 運算放大器的優(yōu)點??????????????????一2 03 2 運放的應(yīng)用???????????????????????????2 13 ．2 ．1 基本運算電路???????????????????????．．2 13 ．2 ．2 信號處理電路??