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文檔簡介
1、近年來,以電池作為電源的電子產(chǎn)品得到廣泛使用,迫切要求采用低電壓的模擬電路來降低功耗,所以低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計技術(shù)正成為研究的熱點。在低壓工作下,CMOS運放信號的動態(tài)范圍減小,信噪比(Signal to Noise Ratio,SNR)降低。為了擴大信號的動態(tài)范圍,低電壓運放通常需要輸入輸出的信號范圍能達(dá)到全擺幅(rail-to-rail)。然而晶體管的閾值電壓(threshold voltage)不會隨著電源電壓等比例降低,解
2、決閾值電壓對電源電壓和輸入信號的受限問題變得十分重要。 本文設(shè)計了一種實用的電平位移(Level-Shifting)電路,為運放的輸入級提供了良好的電平位移。整個電路采用CSMC0.5μ m工藝Level49的參數(shù)模型進(jìn)行設(shè)計,輸入級采用了NMOS管和PMOS管并聯(lián)的互補差動輸入對結(jié)構(gòu);中間級采用適合低電壓工作的低壓寬擺幅共源共柵(Cascode)結(jié)構(gòu);輸出級采用傳統(tǒng)的甲類放大器來得到軌至軌(rail-to-rail)的輸出;頻
3、率補償電路通過把補償電容置于共源共柵器件的源級和輸出結(jié)點之間,獲得了高頻的零點和極點分裂;基于與電源無關(guān)的偏置結(jié)構(gòu),設(shè)計了運放的偏置電路,為運放提供了穩(wěn)定的偏置電壓和偏置電流。 用HSPICE軟件對所設(shè)計的電路進(jìn)行了仿真。在1.3V的工作電源下,運算放大器的共模輸入電壓范圍和輸出電壓擺幅基本上達(dá)到了全擺幅,并能獲得106dB的低頻開環(huán)電壓增益,5.2MHz單位增益帶寬,55°的相位裕度;運放的電源抑制比為93dB,對運放的電源波
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