ddr3&ddr2&ddr基本討論

1、DDR3&DDR2&DDR基本討論基本討論DDR的定義：的定義：嚴格的說DDR應該叫DDRSDRAM，人們習慣稱為DDR，部分初學者也常看到DDRSDRAM，就認為是SDRAM。DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系。SDRAM在一個時鐘周期內只傳輸一次數據，它是在時鐘的上升期進行數據傳輸；而DDR內存則

2、是一個時鐘周期內傳輸兩次次數據，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數據，因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR內存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達到更高的數據傳輸率。與DDR相比，DDR2最主要的改進是在內存模塊速度相同的情況下，可以提供相當于DDR內存兩倍的帶寬。這主要是通過在每個設備上高效率使用兩個DRAM核心來實現的。作為對比，在每個設備上DDR內存只能夠使用一個DRAM核心。技術上講，DDR2內存上仍然只有一個DRA

3、M核心，但是它可以并行存取，在每次存取中處理4個數據而不是兩個數據。與雙倍速運行的數據緩沖相結合，DDR2內存實現了在每個時鐘周期處理多達4bit的數據，比傳統(tǒng)DDR內存可以處理的2bit數據高了一倍。DDR2內存另一個改進之處在于，它采用FBGA封裝方式替代了傳統(tǒng)的TSOP方式。然而，盡管DDR2內存采用的DRAM核心速度和DDR的一樣，但是我們仍然要使用新主板才能搭配DDR2內存，因為DDR2的物理規(guī)格和DDR是不兼容的。首先是接口

4、不一樣，DDR2的針腳數量為240針，而DDR內存為184針；其次，DDR2內存的VDIMM電壓為1.8V，也和DDR內存的2.5V不同。DDR2的定義：的定義：DDR2（DoubleDataRate2）SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升下降延同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力

5、（即：4bit數據讀預?。Q句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀寫數據，并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。此外，由于DDR2標準規(guī)定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式，而不同于目前廣泛應用的TSOPTSOPII封裝形式，FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實的基礎?；叵肫餌DR的發(fā)展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR

6、333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術的極限，已經很難通過常規(guī)辦法提高內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發(fā)展，前端總線對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。要注意的是：DDR2不兼容DDR，除非主板標明同時支持。DDR2與DDR的區(qū)別：的區(qū)別：在了解DDR2內存諸多新技術前，先讓我們看一組DDR和DDR2技術對比的數據?？偟膩碚f，DDR2采用了諸多的新技術

7、，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。為何包括Intel和AMD以及ADATA在內的眾多國際頂級廠商都致力于DDR3的開發(fā)與應用呢？由于DDR2的數據傳輸頻率發(fā)展到800MHz時，其內核工作頻率已經達到了200MHz，因此，再向上提升較為困難，這就需要采用新的技術來保證速度的可持續(xù)發(fā)展性。另外，也是由于速度提高的緣故，內存的地址命令與控制總線需要有全新的拓樸

8、結構，而且業(yè)界也要求內存要具有更低的能耗，所以，DDR3要滿足的需求就是：1更高的外部數據傳輸率2更先進的地址命令與控制總線的拓樸架構3在保證性能的同時將能耗進一步降低為了滿足上述要求，DDR3在DDR2的基礎上采用了以下新型設計:DDR3DDR3與DDR2的不同之處的不同之處1、邏輯Bank數量DDR2SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯B

9、ank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。2、封裝（Packages）DDR3由于新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝，而DDR2則有606884球FBGA封裝三種規(guī)格。并且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。3、突發(fā)長度（BL，BurstLength）由于DDR3的預取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期（BL，BurstLength）也

10、固定為8，而對于DDR2和早期的DDR架構的系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4bitBurstChop（突發(fā)突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發(fā)傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制（如4bit順序突發(fā)）。3、尋址時序（Timing）就像DDR2從D