600V LDMOS器件設計.pdf

1、功率器件是高壓功率集成電路中應用的重要器件。橫向LDMOS器件是高壓功率器件中的一種，它具有耐壓高、導通電阻低及易于和大規(guī)模集成電路兼容等等優(yōu)點，所以它在各種高低壓兼容的集成電路中得到了廣泛的應用。
　　 本文通過使用SILVACOTCAD工具對高壓LDMOS器件進行了模擬和分析，通過調整各個部分的結構和摻雜濃度，以及利用一些模擬實驗，使器件的各個參數(shù)滿足耐壓的要求，提高器件的可靠性。本文提出一種具有高斯型的傾斜表面漂移區(qū)的LD

2、MOS結構。P阱、溝道、源區(qū)、柵極等位于高斯中心的一側，而漏端位于高斯中心的另一側并靠近高斯中心，器件既具有傾斜表面漂移區(qū)的高耐壓性，又具有VDMOS結構的高開態(tài)擊穿特性和良好的安全工作區(qū)域。研究討論了高壓LDMOS器件中的工藝參數(shù)的改變對關態(tài)擊穿電壓的影響，如漂移區(qū)長度、漂移區(qū)厚度、漂移區(qū)濃度以及襯底濃度等;然后，通過分析這種結構器件的閾值電壓、擊穿電壓、漂移區(qū)表面電場以及特征導通電阻等參數(shù)獲取最佳結構，使器件漂移區(qū)表面電場均勻分布，