外場下鍵稀疏和隨機晶場混合自旋BCM的相變和磁學特性.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、混合自旋BCM臨界行為和磁學性質是本文重點討論內容,在本文中主要采用了鍵稀疏和隨機晶場作用下混合自旋為1和1/2的BC模型,在有效場的框架內計算并討論了三維簡立方系統(tǒng)的臨界行為和相關磁學性質。系統(tǒng)的居里溫度隨著晶場的增加而單調遞減并且在相圖中出現(xiàn)了三臨界點,而鍵稀疏對三臨界點有著明顯的抑制作用,當鍵稀疏濃度降低到閾值pc的時候系統(tǒng)將出現(xiàn)誘導磁有序,此時晶場濃度無論如何取值,該系統(tǒng)在一定的晶場范圍內(0≤-D/J≤0.5)都將存在有序,這

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