一維有序排列量子點的低溫輸運性質(zhì)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、利用分子束外延(MBE)在刻有一維溝道的p型Si(100)圖案襯底上,制備出一維有序排列的量子點。在此基礎上,通過在樣品表面蒸鍍鋁電極,尋找合適退火條件使電極與樣品形成歐姆接觸,進而通過綜合物性測量系統(tǒng)(PPMS)的四探針法研究了低溫下樣品的電阻,磁阻性質(zhì)。實驗表明當溫度低于22K左右,沿一維溝道的縱向電阻明顯低于沿垂直溝道的橫向電阻。通過分析發(fā)現(xiàn),這是由于低溫下樣品中同時存在兩個導電層,硼摻雜的δ層和量子點層,而后者只對縱向電導有貢獻

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