Zn-Er-LiNbO3晶體的生長及其上轉換發(fā)光性能的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本研究采用提拉法生長了無宏觀缺陷、光學均勻性較好的具有不同摻Zn(3、6和7mol％)及摻Er(1.5和3mol%)量組合的Zn:Er:LiNbO3單晶。研究了最佳生長工藝參數(shù)。測試了Zn:Er:LiNbO3晶體的紫外-可見吸收光譜，紅外透射光譜，上轉換穩(wěn)態(tài)發(fā)射譜，上轉換時間分辨譜，上轉換功率曲線及抗光致散射能力。
　　通過紫外-可見吸收光譜和紅外吸收光譜的測試研究了Zn:Er:LiNbO3晶體的缺陷結構及Zn2+和Er的占位情況

2、，確定了Zn在Zn:Er:LiNbO3晶體中3+2+的閾值濃度。研究結果表明，Zn2+在Zn:Er:LiNbO3晶體中的閾值濃度為6mol%。當摻雜濃度小于閾值濃度時，Zn2+是以取代反位鈮缺陷的形式進入晶體的，當摻雜濃度大于閾值濃度時，Zn2+開始進入正常晶格的Li位和Nb位，形成Zn+Li-Zn缺陷基團。而Er則是以取代正常格位的Li和Nb3-3++5+Nb的方式進入晶體，形成鉺離子團位束Er2+-Er2-LiNb。
　　研究

3、了Zn和Er的摻雜量對于Zn:Er:LiNbO3晶體綠光波段上轉換性能的影響。研究表明，Zn2+2+3+和Er摻雜濃度的提高，都使得Zn:Er:LiNbO3的上3+轉換發(fā)光強度得到增強。通過對綠光上轉換功率曲線的分析，首次發(fā)現(xiàn)當Zn2+的摻雜濃度達到閾值濃度時，綠光上轉換機制由雙光子過程轉換為光子雪崩過程。研究了Zn:Er:LiNbO3晶體的抗光損傷性能，分析了Zn2+摻雜濃度對晶體抗光損傷性能的影響，結果表明Zn2+摻雜濃度的提高使晶

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