離子注入SiC的射程分布及損傷的研究.pdf

1、本文利用盧瑟福背散射/溝道技術(shù)(RBS/C)對(duì)稀土族元素鉺離子和釹離子注入SiC晶體和Si晶體中的射程分布和損傷分布及退火行為進(jìn)行了較為系統(tǒng)的研究。實(shí)驗(yàn)得到的結(jié)果與理論得到的結(jié)果進(jìn)行了比較，對(duì)它們的符合程度作了比較和分析。主要包括以下幾個(gè)方面的內(nèi)容：　　在第二章和第三章中，本文簡(jiǎn)要介紹了SiC晶體的結(jié)構(gòu)、特性以及半導(dǎo)體工藝中的常用摻雜方法——熱擴(kuò)散和離子注入的特點(diǎn)及基本原理，還介紹了本論文的主要實(shí)驗(yàn)方法——盧瑟福背散射/溝道技術(shù)(RB

2、S/C)的實(shí)驗(yàn)設(shè)備及基本分析原理?！　≡诘谒恼轮?，本文報(bào)道了利用盧瑟福背散射技術(shù)(RBS)得到的400keV5×1015ions/cm2Er+和Nd+離子注入6H-SiC晶體中的射程分布。用表面能量近似法計(jì)算出平均投影射程和射程離散的實(shí)驗(yàn)值和TRIM'98得到的理論值進(jìn)行了比較，結(jié)果表明實(shí)驗(yàn)得到的平均投影射程和射程離散與TRIM'98計(jì)算的理論值較好的符合。還介紹了用盧瑟福背散射技術(shù)和SeijiroFurukawa等人提出的實(shí)驗(yàn)原理得

3、到的400keV，5×1015ions/cm2Er+和Nd+離子注入6H-SiC晶體中的橫向射程離散，計(jì)算得到的實(shí)驗(yàn)值和TRIM'98得到的理論值進(jìn)行了比較，實(shí)驗(yàn)測(cè)出的橫向射程離散與TRIM'98計(jì)算的理論值較好的符合?！　〉谖逭卤疚膱?bào)道了利用盧瑟福背散射/溝道技術(shù)(RBS/C)，采用多重散射模型得到的400keV，5×1015ions/cm2的Er+和Nd+離子注入6H-SiC晶體以及Er+離子注入Si晶體產(chǎn)生的損傷分布情況。測(cè)量結(jié)