外加電場下方形量子線中雜質態(tài).pdf

1、前人雖然對外加電場下量子阱線中的雜質態(tài)做了較為詳細的討論,但是他們所選取的矩形量子阱線僅僅局限在無限深的情況.在前人工作的基礎上,我們在有效質量近似下討論了外加電場下有限深方形GaAs/Ga<,0.63>Al<,0.37>As量子阱線的雜質態(tài)和雜質的Stark能夠,并把我們的結果與前人的結果進行了比較.另外,我們還討論了施主離子位于不同位置的情況及結構的不對稱和質量不匹配對Stark能移的影響.在不考慮有效質量不匹配的條件下得出如下結論

2、:(1)外加電場下電子第一能級的能量降低.(2)當施主離子位于勢阱中心時,雜質的束縛能隨著電場強度的增大而減小.(3)當施主離子位于勢阱中不同位置時,零電場下量子阱線中的雜質態(tài)是關于施主離子位置中心對稱的簡并態(tài),在外加電場作用下發(fā)生能級分裂,這種簡并不再存在;雜質的Stark能移由于施主離子位置的不同表現(xiàn)為紅移或藍移.(4)相同電場的作用下,量子阱線具有不同的長寬比時,雜質的Stark能移明顯不同,而且電場越強這種結構的不對稱性的影響越