液相沉積氧化硅薄膜在硅太陽電池上的應用研究.pdf

1、上海交通大學碩士學位論文液相沉積氧化硅薄膜在硅太陽電池上的應用研究專業(yè)：光學工程作者：陳燕琳導師：沈文忠教授上海交通大學物理與天文系太陽能研究所人工結構及量子調控教育部重點實驗室凝聚態(tài)光譜與光電子物理實驗室2016年1月上海交通大學碩丨:論文中文摘要液相沉積氧化硅薄膜在硅太陽電池上的應用研究摘要表面鈍化是高效太陽電池的一項關鍵技術?，F今，在光伏行業(yè)中廣泛應用的鈍化技術有等離子體增強化學氣相沉積氮化硅PECVDSiNx原子層沉積氧化鋁AL

2、DA1203，熱氧化硅ThermalgrownSi02等等。盡管它們在桂太陽電池上的鈍化性能很優(yōu)越，但制備它們都需要使用昂貴的設備并且后兩者的生長速率較慢。本論文中，我們用液相沉積的方法制備了Si〇2薄膜。這種方法與熱氧化硅方法相比具有操作簡單，低溫生長，沉積速率快的優(yōu)點。液相沉積8丨02薄膜均勻致密，與襯底的覆蓋性良好。我們已經發(fā)現液相沉積8丨〇2的生長參數包括氟硅酸（H2SiF6)的濃度，溶液的沉積溫度和沉積時間都對薄膜的生長速率有

3、很大影響，并且沉積溫度在一定程度上影響著薄膜的致密性。我們也深入研究了液相沉積8丨02薄膜在硅片上的鈍化效果。剛沉積的Si〇2薄膜對硅片的鈍化質量不佳，通過對其進行沉積后退火處理，Si〇2薄膜在硅片上的鈍化效果獲得了顯著提高。通過分析液相沉積Si〇2薄膜鈍化的n型和p型硅片的少子壽命和表面復合速率，我們發(fā)現化學鈍化和場效應鈍化機制同時存在。沉積參數雖對鈍化效果影響甚微，但是我們需要兼顧沉積速率和制備成本，慎重選擇適當的沉積參數。從沉積速