線(xiàn)缺陷對(duì)硅烯輸運(yùn)性質(zhì)的影響.pdf

1、硅烯因其特殊的輸運(yùn)性質(zhì)，近年來(lái)，在二維半導(dǎo)體材料的研究中一直是一個(gè)活躍的研究課題。本文采用緊束縛近似理論和非平衡格林函數(shù)的方法，理論計(jì)算并分析了鋸齒形邊界單層硅烯納米條帶上存在線(xiàn)缺陷時(shí)的電子輸運(yùn)特性。
　　在硅烯納米條帶中移去一個(gè)硅原子，即形成了硅烯空位缺陷模型。外加垂直于硅烯納米條帶的電場(chǎng)，考慮硅烯材料本征自旋軌道耦合和Rashba自旋軌道耦合對(duì)體系的影響，利用非平衡格林函數(shù)和分通道計(jì)算透射系數(shù)的方法，探索線(xiàn)缺陷對(duì)硅烯納米條帶輸

2、運(yùn)性質(zhì)的影響。研究結(jié)果表明:線(xiàn)缺陷的存在使電荷局域性增強(qiáng)，傳輸總電導(dǎo)減小;中間導(dǎo)區(qū)寬度越大，總電導(dǎo)越大;線(xiàn)缺陷在中間位置時(shí)比線(xiàn)缺陷在上邊緣時(shí)對(duì)總電導(dǎo)的影響更大;存在線(xiàn)缺陷時(shí)，隨著Rashba自旋軌道耦合強(qiáng)度的增大和電場(chǎng)強(qiáng)度的增大，總電導(dǎo)均減小;線(xiàn)缺陷的存在對(duì)K谷電導(dǎo)率和K'谷電導(dǎo)率產(chǎn)生影響，但是對(duì)完美谷極化區(qū)域影響不大，可以用來(lái)制作谷閥;費(fèi)米能處于體帶隙中，線(xiàn)缺陷對(duì)谷內(nèi)和谷間電導(dǎo)影響不大，谷內(nèi)谷間極化率仍為100％，但是當(dāng)費(fèi)米能增大打開(kāi)