氧化鋅納米線的制備工藝及光學(xué)性能研究.pdf

1、氧化鋅是一種重要的寬禁帶隙(3.37eV)半導(dǎo)體材料，它的激子束縛能高達(dá)60meV，因此ZnO是室溫或更高溫度下具有很大應(yīng)用潛力的短波長(zhǎng)發(fā)光材料，在紫外激光發(fā)射等光電應(yīng)用領(lǐng)域有著很高的應(yīng)用價(jià)值，而一維納米結(jié)構(gòu)的ZnO因其優(yōu)良的光電性質(zhì)，在制作納米電子器件和納米光電子器件等許多領(lǐng)域表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。本文在簡(jiǎn)略地總結(jié)了納米材料的基本特性及其應(yīng)用、一維納米材料的制備及應(yīng)用的基礎(chǔ)上，對(duì)一維納米結(jié)構(gòu)ZnO在襯底上的制備生長(zhǎng)方法、襯底的影響及其

2、光電性能進(jìn)行了研究和分析。 本實(shí)驗(yàn)利用離子絡(luò)合法，通過(guò)高分子(聚丙烯酰胺)配位絡(luò)合-燒結(jié)工藝在硅襯底上生長(zhǎng)出ZnO納米線。采用掃描電鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)、紅外光譜(IR)等測(cè)試手段對(duì)樣品的表面形貌、結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析表征，結(jié)果表明ZnO納米線直徑約60～80nm、長(zhǎng)度約1～2μm，為六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，單晶，且沿c軸方向優(yōu)先生長(zhǎng)。并著重探討了離子絡(luò)合法制備氧化鋅納米線的工藝影響因素。 通過(guò)光致發(fā)光(PL)光譜、紫外