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文檔簡介
1、利用正電子湮沒技術、X射線衍射方法、差熱-熱重分析系統(tǒng)的研究了激光輻射對MgB2超導樣品的影響，發(fā)現(xiàn)正電子的壽命不僅與晶體的結構缺陷有關，而且與樣品的密度，或晶粒間的孔隙度有關：孔隙度越大，正電子湮沒壽命越長。對光照后的MgB2的正電子壽命譜的研究發(fā)現(xiàn)，隨著光摻雜的增加，樣品的缺陷運動機制發(fā)生變化，光照使得MgB2樣品中的平均電子濃度增加，由3.43×1029m-3上升為3.54×1029m-3，得出由于光輻照激活缺陷的結論，這可能與M
2、g空位的產(chǎn)生有關。 氧含量是影響B(tài)i系超導體超導電性的重要因素，我們利用固相反應法制備了Bi(Pb)2212，2223相超導樣品，研究了制備工藝對Bi系超導電性的影響，找到最佳合成途徑。不同氧壓下700℃退火處理10小時后再次進行上述實驗，分別對樣品進行了XRD物相分析及計算晶胞參數(shù)、Tc測量檢驗超導電性、正電子湮沒實驗，結果表明：通氧和真空熱處理都能起到調(diào)節(jié)樣品載流子濃度的作用，由Tc與CuO層中載流子濃度的關系可以看出載流子
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