emi控制方法

1、EMI控制方法：屏蔽、濾波、接地我們知道，造成設備性能降低或失效的電磁干擾必須同時具備三個要素，首先是有一個電磁場所，其次是有干擾源和被干擾源，最后就是具備一條電磁干擾的耦合通路，以便把能量從干擾源傳遞到受干擾源。因此，為解決設備的電磁兼容性，必須圍繞這三點來分析。一般情況下，對于EMI的控制，我們主要采用三種措施：屏蔽、濾波、接地。這三種方法雖然有著獨立的作用，但是相互之間是有關聯(lián)的，良好的接地可以降低設備對屏蔽和濾波的要求，而良好的

2、屏蔽也可以使濾波器的要求低一些。下面，我們來分別介紹屏蔽、濾波和接地。1屏蔽屏蔽能夠有效的抑制通過空間傳播的電磁干擾。采用屏蔽的目的有兩個，一個是限制內(nèi)部的輻射電磁能量外泄出控制區(qū)域，另一個就是防止外來的輻射電磁能量入內(nèi)部控制區(qū)。按照屏蔽的機理，我們可以將屏蔽分為電場屏蔽、磁場屏蔽、和電磁場屏蔽。1.1電場屏蔽一般情況下，電場感應可以看成是分布電容間的耦合，圖1是一個電場感應的示意圖。圖1電場感應示意圖其中A為干擾源，B為受感應設備，其

3、中Ua和Ub之間的關系為Ub=C1Ua(C1C2)C1為A、B之間的分布電容C2為受感應設備的對地電容。根據(jù)示意圖和等式，為了減弱B上面的地磁感應，使用的方法有由于磁場屏蔽通常是對直流或很低頻場的屏蔽，其效果和電場屏蔽和電磁場屏蔽相比要差很多，磁場屏蔽的主要手段就是依賴高導磁材料具有的低磁阻，對磁通起分路的作用，使得屏蔽體內(nèi)部的磁場大大減弱。對于磁場屏蔽需要注意的幾點：減小屏蔽體的磁阻(通過選用高導磁率材料和增加屏蔽體的厚度)被屏蔽設備

4、和屏蔽體間保持一定距離，減少通過屏蔽設備的磁通。對于不可避免使用縫隙或者接風口的，盡量使縫隙或者接風口呈條形，并且順沿著電磁線的方向，減少磁通。對于強電場的屏蔽，可采用雙層磁屏蔽體的結構。對要屏蔽外部強磁場的，則屏蔽體外層要選用不易磁飽和的材料，如硅鋼等而內(nèi)部可選用容易到達飽和的高導磁材料。因為第一次屏蔽削弱部分，第二次削弱大部分，如果都使用高導磁，會造成進入一層屏蔽的在一層和二層間造成反射。如果要屏蔽內(nèi)部的磁場，則相反。而屏蔽體一般通

5、過非磁性材料接地。1.3電磁場屏蔽電磁場屏蔽是利用屏蔽體阻隔電磁場在空間傳播的一種措施。和前面電場和磁場的屏蔽機理不同，電磁屏蔽對電磁波的衰減有三個過程：當電磁波在到達屏蔽體表面時，由于空氣與金屬的交界面上阻抗不連續(xù)，對入射波產(chǎn)生反射，這種反射不要求屏蔽材料必須有一定厚度，只需要交界面上的不連續(xù)。進入屏蔽體的電磁波，在屏蔽體中被衰減。穿過屏蔽層后，到達屏蔽層另一個屏蔽體，由于阻抗不連續(xù)，產(chǎn)生反射，重新回到屏蔽體內(nèi)。從上面三個過程看來，電