三星內(nèi)存編號命名揭秘

1、三星內(nèi)存編號命名揭秘!三星內(nèi)存編號揭秘（一）三星內(nèi)存編號揭秘（一）三星DDR內(nèi)存顆粒的編號共分為四段數(shù)字或字母，19個部分組成。請看下面的三星內(nèi)存編號示意圖，圖中有A、B、CDE和F為四段數(shù)字或字母，而19部分則是指包含在A、B、CDE和F四段數(shù)字或字母組成的編號，主要對內(nèi)存規(guī)格進行說明。下面，就給大家分別解釋。首先來解釋一下四段號碼的大概含義。A部分我想不用解釋了吧，標明的是生產(chǎn)企業(yè)的名稱——SAMSUNG。B部分說明的是該內(nèi)存模組的

2、生產(chǎn)日期，以三個阿拉伯數(shù)字的形式表現(xiàn)。其中第一個阿拉伯數(shù)字表明，生產(chǎn)的年份，后面兩位數(shù)字表明是在該年的第XX周生產(chǎn)的。例如，上圖中的446就該表示該模組是在04年的第46周生產(chǎn)的。如果三位數(shù)字是532，則表明該內(nèi)存模組是05年第32周生產(chǎn)的。C部分說明的是該內(nèi)存的封裝類型，由一個英文字母表示。該部分將分別以T、U、N、V、G、Z幾個字母來代表不同的封裝類型。其中T代表是TSOP2封裝，U表示TOSP2（LeadFree）封裝，N表示sT

3、SOP2封裝，V表示sTOSP2（LeadFree）封裝，G表示FBGA封裝，Z表示FBGA（LeadFree）封裝。D部分說明是該內(nèi)存模組的工作溫度與功耗，由一個英文字母表示。該部分將以C和L兩個字母來表示該內(nèi)存顆粒的不同工作溫度與功耗。其中C表示該內(nèi)存模組為大眾商用型內(nèi)存，普通功耗，工作溫度在0C~70C之間；L表示該內(nèi)存模組也屬于大眾商業(yè)型，但卻是低功耗，工作溫度也在0C~70C之間。這部分標注為L的模組，在筆記本內(nèi)存中比較常見。

4、E部分說明的是該內(nèi)存模組的頻率和各項延遲（即CLtRCDtRP），由兩個英文字母或數(shù)字組成。該部分分別以A0、B0、A2、B3和CC這五個字母數(shù)字組合來代表不同頻率和延遲的DDR內(nèi)存模組。其中，A0代表該模組的工作做頻率為DDR200（100MHz），延遲為222；B0代表DDR266（133MHz），延遲為2.533；A2代表DDRDDR266（133MHz），延遲為233；B3代表DDR333（166MHz），延遲為2.533；CC

5、代表DDR400（200MHz），延遲為333。F部分實際上是由8個小部分組成的，分別表示該內(nèi)存模組的類型、容量、位寬、接口類型、工作電壓等等內(nèi)容。詳12345678K4XXXXXXXX第5部分表示的是內(nèi)存顆粒的位寬，由兩連個數(shù)字組成。根據(jù)顆粒位寬不同，該部分會出現(xiàn)“04”、“08”和“16”三個組合。其中“4”表示是該顆粒只有4bit位寬，“08”表示該顆粒有8bit位寬，“16”則表示有16bit位寬。12345678K4XXXXX

6、XXX第6部分代表的是邏輯bank數(shù)，由一個數(shù)字組成。3表示4bank，4表示8bank。12345678K4XXXXXXXX第7部分代表的是接口類型與工作電壓，由一個數(shù)字或字母組成?！?”表示接口類型為SSTL_2，工作電壓為2.5V；“Q”表示接口類型為SSTL，工作電壓為1.8V。12345678K4XXXXXXXX第8部分代表產(chǎn)品的版本，由一個字母組成，并且，該處的字母在字母表中的位置越靠后，說明該內(nèi)存顆粒的版本越新。到目前為止

7、，三星內(nèi)存顆粒一共有9個版本，分別以“M、A、B、C、D、E、F、G、H”9個字母表示，其中M代表第1版產(chǎn)品，而AH則依次代表第29版。12345678K4XXXXXXXX根據(jù)以上我們對三星內(nèi)存編號的了解，我們就能夠知道圖一中的內(nèi)存顆粒的相關信息：256MB容量，8bit位寬，4bank，SSTL_2接口，2.5V工作電壓，第六版，生產(chǎn)與05年第16周，TOSP2封裝，大眾商用型，普通功耗，工作溫度在0C~70C之間，工作頻率為200M