cui晶體的生長與表征【開題報告+文獻綜述+畢業(yè)論文】

1、1本科畢業(yè)設計本科畢業(yè)設計開題報告開題報告應用化學應用化學CuICuI晶體的生長與表征晶體的生長與表征一、選題的背景與意義一、選題的背景與意義閃爍晶體是由放射線激發(fā)產(chǎn)生高效發(fā)光的熒光晶體。晶體產(chǎn)生的熒光經(jīng)光導管送至光電倍增管，將光信號轉變?yōu)榉糯蟮碾娒}沖，通過電子儀器記錄下來。近10多年來，新發(fā)現(xiàn)的閃爍體數(shù)量猛增。在新型閃爍晶體的探索研究方面，歐洲核子研究中心的CrystalClearCollabation(CCC)小組、美國勞倫斯伯克利

2、國家實驗室(LawrenceBerkeleyNationallabatyLBNL)的Derenzo小組以及荷蘭Delft理工大學的vVanEijik小組等都做了大量出色的工作，令人矚目。近年來，隨著核科學技術及相關技術的飛速發(fā)展，閃爍晶體的應用領域不斷拓寬。與此同時，不同應用領域對閃爍晶體也提出了更高的要求，使閃爍晶體的研究和開發(fā)出現(xiàn)了前所未有的熱潮。閃爍晶體主要用于核物理、高能物理、天體物理、地質勘探、石油測井、核醫(yī)學成像、工業(yè)無損檢

3、查、港口安檢等領域。與普通的塑料高分子、液體、液晶以及熒光粉等閃爍材料相比，閃爍晶體具有密度高、體積小、物化性能和閃爍性能優(yōu)良等顯著特點，使其在所有的閃爍材料中占據(jù)重要的地位（主要是無機閃爍晶體）。在閃爍晶體的開發(fā)和性能改進方面，俄國的Bogoditsk技術化工廠，中國的上海硅酸鹽所和北京玻璃研究院，以及烏克蘭的AmcrysH，美國的Bicron和CTI，捷克的Crytur，日本的Hi2tachi等公司也做了大量出色的工作。在閃爍晶體界

4、具有較高知名度。自20世紀80年代初，我國也先后成功地開發(fā)了多種閃爍晶體，如:Bi4Ge3O12(BGO)，BaF2，CeF3，CsI∶Tl以及PbWO4(PWO)等，為國際高能物理實驗裝置以及核醫(yī)學成像儀器(PET)提供了大量的晶體，在國際核探測器界，特別是高能物理實驗領域享有盛譽。離子液體（室溫離子液體）（RoomTemperatureIonicLiquids），是指在室溫或接近常溫時呈液態(tài)，由有機陽離子與無機或有機陰離子組成的鹽。

5、又稱低溫3（一）研究內(nèi)容：（一）研究內(nèi)容：本實驗主要以鹵代二烷基咪唑類離子液體為主要研究對象，遴選出對CuI具有較好的的溶解性和結晶性能的溶劑體系。采用惰性氣體保護—降溫法，結合紫外可見透過譜（UvVis）分析、紅外、熱重與差熱分析等方法，研究溶液生長狀態(tài)，分析生長過程中各粒子的動態(tài)變化及可能的生長機理。獲得厘米尺寸高品質的CuI晶體，并通過DTATGDSC對晶體進行表征。（二）研究難點：（二）研究難點：1.CuI在鹵化烷基類離子液體中

6、的生長及相關規(guī)律根據(jù)離子液體的酸堿原理、絡合原理、極化理論，研究和解決CuI在鹵化二烷基類咪唑類離子液體中的溶解性、結晶性、穩(wěn)定性問題。揭示CuI在離子液體中溶解性、結晶性等與離子液體的物化特性之間的規(guī)律性關系。2.半導體型CuI閃爍晶體的超快發(fā)光機理通過CuI單晶的激發(fā)光譜，研究晶體中電子能級結構與能量轉換規(guī)律?？偨Y寬帶隙直接躍遷的半導體型閃爍晶體的發(fā)光特性。結合能級結構和缺陷類型判斷晶體超快衰減的發(fā)光機理。四、研究的方法與技術路線：

7、四、研究的方法與技術路線：（一）文獻分析法查閱相關文獻。分析和整理國內(nèi)外研究狀況，為本題的研究提供借鑒。（二）實驗法采用惰性氣體保護降溫法生長CuI單晶體。使用DTATGDSC分析CuI晶體對光和熱的穩(wěn)定性，測量CuI晶體的透過、紫外激發(fā)發(fā)射、X射線激發(fā)發(fā)射、X射線激發(fā)衰減等光譜，分析單晶中的能量吸收、傳遞和躍遷規(guī)律。五、研究的總體安排與進度五、研究的總體安排與進度：第一階段：收集并整理資料，確定選題2010年6月—10月：通過協(xié)商確定