1簡(jiǎn)化模型下的通態(tài)特性

1、,,電力整流管,1）簡(jiǎn)化模型下的通態(tài)特性,,,,（1）平衡pin,,,（2）正向偏置電壓下的pin,,,4 、PIN二極管通態(tài)特性,,,電力整流管,1）簡(jiǎn)化模型下的通態(tài)特性,,,,（3）pin的正向特性,,,,,,,,,（忽略體壓降）,,,電力整流管,2） 通態(tài)特性的準(zhǔn)確計(jì)算,基區(qū)體壓降 結(jié)壓降正向壓降 正向壓降的主要影響因素,內(nèi)容,,,,,電力整流管,基區(qū)體壓降VM求解思路,利用連續(xù)性方程求出基區(qū)的載流子濃度,,電流密度表達(dá)式,

2、I區(qū)電場(chǎng)表（E )表達(dá)式,VM的表達(dá)式,,,,,電力整流管,,,,,邊界條件：,,VM求解過(guò)程,,,電力整流管,VM求解過(guò)程,,,I區(qū)電場(chǎng)強(qiáng)度，對(duì)其積分可求得VM,,,電力整流管,,VM求解過(guò)程,VM式中，第一項(xiàng)為歐姆電壓降產(chǎn)生的電場(chǎng)分量;第二項(xiàng)為是電子和空穴遷移率不等產(chǎn)生的濃度分布不對(duì)稱(chēng)形成的電場(chǎng)分量。,,,電力整流管,歐姆電壓降隨d/La的增加而迅速增大。 d≤La時(shí)，稱(chēng)為“短”結(jié)構(gòu)PIN二極管。對(duì)于d≥3La的情況，則與上述相反

3、，稱(chēng)為“長(zhǎng)”結(jié)構(gòu)二極管。,,,,,,電力整流管,VPI+VNI求解,PN結(jié)結(jié)定律,,,,,,電力整流管,VF=?,,,d/La,F(d/La),,,電力整流管,3）VF的主要影響因素分析,當(dāng)（d/La）的值為1時(shí)，通態(tài)壓降最小，當(dāng)（d/La）超過(guò)3時(shí)，通態(tài)壓降迅速增加。少子壽命的增加可以降低體壓降，但載流子間的散射、俄歇復(fù)合及注入效率又影響著I區(qū)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)。,,,電力整流管,4）降低二極管正向壓降的途徑,（1）控制基區(qū)寬度、提高少子