ZnO摻鋁透明導(dǎo)電薄膜的制備及其光電性能研究.pdf_第1頁(yè)
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1、ZnO薄膜是一種新型的Ⅱ-Ⅵ族直接寬帶隙氧化物半導(dǎo)體材料。室溫下禁帶寬度為3.3eV。激子束縛能為60meV。具備了室溫下發(fā)射紫外光的必要條件，在紫外探測(cè)器、LED、LD等領(lǐng)域有著巨大的發(fā)展?jié)摿?；ZnO薄膜以其優(yōu)良的壓電性能、透明導(dǎo)電等性能在太陽(yáng)能電池、壓電器件、聲表面波器件、氣敏元件等諸多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。 本實(shí)驗(yàn)采用溶膠-凝膠(Sol-Gel)工藝在普通玻璃基片上制備Al3+摻雜型ZnO薄膜。所用的溶膠是以乙二醇甲醚為溶劑，

2、醋酸鋅為氧化鋅前驅(qū)體，乙醇胺為穩(wěn)定劑，硝酸鋁為摻雜反應(yīng)制得。用浸漬提拉法在基體上鍍膜，經(jīng)干燥、預(yù)燒、退火，最后制備出均勻、透明的多晶ZnO摻雜薄膜。 利用XRD、SEM以及分光光度計(jì)等分析手段對(duì)薄膜進(jìn)行了研究，結(jié)果顯示：所制備的薄膜為六方纖鋅礦型晶體結(jié)構(gòu)，具有高c軸擇優(yōu)取向性；表面均勻、致密，薄膜材料由許多星狀晶粒組成，晶粒尺寸大約為70～100nm左右，10層膜厚度約為1μm；薄膜可見(jiàn)光透過(guò)率平均可達(dá)80％以上，在紫外光區(qū)有較

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