Brugada綜合征的臨床、遺傳與細胞電生理研究.pdf

1、自1992年作為一個獨立的病種描述以來，Brugada綜合征(Brugada syndrome，BrS)一直是備受關注的領域，無論是在臨床還是在基礎研究方面。本課題將在BrS的危險分層、遺傳學研究以及細胞電生理機制等方面做進一步研究，希望為BrS的基礎和臨床研究提供一些有益的證據(jù)。 第一部分：41例Brugada樣心電圖患者3年隨訪研究 目的： 探討中國人Brugada，綜合征患者晚電位特征及其與心律失常事件發(fā)生

2、的關系。 方法： 采用信號平均心電圖(signal-averaged electrocardiography，SAECG)分析15例Ⅰ型BrS患者和26例BrS Ⅱ型或Ⅲ型心電圖患者心室晚電位(LatePotential,LP)的特點；采用隊列研究方法，動態(tài)隨訪約3年(31.4±5.7月)，觀察LP(+)和LP(-)BrS患者中心律失常及其相關事件的發(fā)生情況。 結果： Ⅰ型BrS組中有13例患者晚電位陽性

3、，陽性率為86.7％；BrS Ⅱ型或Ⅲ型組中有2例晚電位表現(xiàn)為陽性，陽性率為7.7％。Ⅰ型BrS組晚電位陽性率明顯比BrS Ⅱ型或Ⅲ型組高(P<0.05)；LP(+)BrS患者心律失常及其相關事件發(fā)生率為86.7％，LP(-)BrS患者為3.8％，兩組比較差異顯著，相對危險度(RR)為22.5，95％可信區(qū)間為[3.3，155.6]，P<0.0001。 結論： 晚電位可能是中國人BrS患者發(fā)生室性心律失常事件的一個有效的

4、預測因子，是中國人BrS危險分層的有用指標之一。 第二部分：Brugada綜合征超聲心動圖新現(xiàn)象的研究 目的： 目前學術界對Brugada綜合征究竟是否存在器質性心臟病改變存在爭論，在一個偶然的情況下，我們在給一個35歲的男性。Brugada綜合征患者作心臟超聲檢查時發(fā)現(xiàn)該患者存在室間隔運動異常，這一現(xiàn)象促使我們探討B(tài)rugada綜合征超聲心動圖是否有其特殊的變化，為Brugada綜合征的危險分層、預后判斷及診療

5、提供一些新的依據(jù)。 方法： 應用超聲心動圖技術觀察Brugada綜合征組(n=15)、單純右束支傳導阻滯組(n=15)和正常對照組(n=15)左、右室壁和室間隔運動及波幅。使用ACUSON公司(美國)Sequoia 512型彩色多普勒超聲診斷儀，常規(guī)作胸骨旁左室長軸切面，當發(fā)現(xiàn)室間隔基底段異常運動時，將M型取樣線置于該節(jié)段上記錄室間隔的活動曲線，并與心電圖同步顯示確定時相。 結果： 15例Brugada綜

6、合征患者中有11例在收縮早期出現(xiàn)室間隔基底段前向運動，而單純右束支阻滯組以及正常對照組均未見此種改變。 結論： 典型Brugada綜合征患者收縮早期室間隔基底部運動異常，這可能是Brugada綜合征一個新的臨床特征。 第三部分：Brugada綜合征患者遺傳學研究 目的： 研究中國Brugada綜合征患者SCN5A基因的堿基改變情況。 方法： 對15例先證者及家系進行直接SCN5A基

7、因測序。DNA來源于患者外周血白細胞。全部28個外顯子通過設計的40對引物進行PCR擴增，擴增后的產物直接測序。 結果： 在一個家系上發(fā)現(xiàn)了一個錯義突變，即G5080A(R1628Q)，該突變導致心肌細胞鈉通道的α亞基第Ⅳ結構域的第4片段發(fā)生改變。在150個正常對照者未發(fā)現(xiàn)此堿基改變。 結論： 在中國Brugada綜合征患者的SCN5A基因發(fā)現(xiàn)了一個新的突變位點。 第四部分：異丙腎上腺素影響B(tài)ru

8、gada綜合征的細胞電生理機制探討 目的： 已有文獻報道在一些Brugada綜合征患者使用異丙腎上腺素(Isoproterenol，Iso)能夠減輕ST抬高，抑制室性心律失常和電風暴的發(fā)生。但是目前還沒有對異丙腎上腺素這一作用的細胞電生理機制進行深入研究的報道。本部分將探討Iso上述效應的細胞電生理機制。 方法： 酶解法分離兔右心室外膜心肌細胞。采用全細胞膜片鉗技術記錄1μM異丙腎上腺素作用前后動作電位、

9、L-鈣電流及短暫外向鉀電流的變化。 結果： ①1μM Iso顯著延長動作電位復極到20％時程(APD20)、動作電位復極到50％時程(APD50)以及動作電位復極到90％時程(APD90)，分別從(151.3±11.8)ms，(268.7±27.3)ms和(380.9±34.6)ms延長到(195.4±13.3)ms，(324.5±32.8)ms和(423.5±42.1)ms(n=14，p<0.05)。 ②在+6

10、0mY電壓下，1μM Iso使Ito從(11.4±1.7)pA/pF減少到(6.3±0.5)pA/pF(n=16，p<0.05)。1μM Iso使Ito I-V曲線下移，但并不影響激活電位、峰電位和翻轉電位。1μM Iso使Ito穩(wěn)態(tài)失活曲線左移，使失活后恢復曲線右移，對激活曲線的半數(shù)激活電壓和激活常數(shù)無明顯影響。 ③1μM Iso增加ICa,L峰值，從(-6.1士0.6)pA/pF增加到(-8.64±0.9)pA/pF(n=1