磁頭熱變形對(duì)飛行高度影響的數(shù)值分析.pdf

1、目前計(jì)算機(jī)向大存儲(chǔ)量和高穩(wěn)定性等方向發(fā)展，相應(yīng)的，硬盤磁頭的飛行高度也越來(lái)越低；而磁頭的厚度越來(lái)越小，更容易發(fā)生熱變形，從而影響飛行高度。工程師消耗大量資源追求無(wú)熱變形的設(shè)計(jì)方案。
　　本課題用數(shù)值仿真的方法研究磁頭熱變形與其穩(wěn)態(tài)飛行高度之間的關(guān)系，為穩(wěn)定飛行高度以提高硬盤讀寫性能的研究提供參考依據(jù)。
　　本文建立磁頭于盤片上飛行的簡(jiǎn)化物理模型，再利用雷諾方程，采用加權(quán)余量法中的加遼金法，配合有限元法，建立數(shù)學(xué)模型，用MAT

2、LAB編程求解方程組，得出氣壓分布，并由此初步分析微米級(jí)下磁頭熱變形與穩(wěn)態(tài)飛高之間的關(guān)系。計(jì)算結(jié)果表明，一定的熱變形反而有利于穩(wěn)定磁頭飛高。
　　在納米量級(jí)的超薄氣膜潤(rùn)滑中，必須考慮拉森數(shù)(分子平均自由程與氣膜特征厚度的比值)對(duì)氣膜特性的影響。本文采用高階滑移修正雷諾方程取代原普通雷諾方程作控制方程，再次建模求解，在納米級(jí)下得到與之前一致的規(guī)律。
　　接下來(lái)本文用模擬超薄氣膜潤(rùn)滑的仿真軟件CMLAir分析該物理模型，得出與之