基于高低壓兼容工藝的高壓驅(qū)動集成電路.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、電子科技大學博士學位論文基于高低壓兼容工藝的高壓驅(qū)動集成電路姓名：喬明申請學位級別：博士專業(yè)：微電子學與固體電子學指導教師：李肇基20080601摘要項注入工藝設計，可精確控制薄膜SOI背柵效應導致的高端厚柵氧器件的穿通擊穿電壓?；贗FO技術和隔離氧化共用技術，開發(fā)一種新的lgm超薄膜SOI高低壓兼容工藝，將迄今100V以上級薄膜SOI高壓工藝的項層硅膜厚度從15Itm降至19m，實現(xiàn)高壓NLDMOS(NchannelLateralD

2、oublediffusedMOSFET)、厚柵氧PLDMOS(PchannelLateralDoublediffusedMOSFET)、5VCMOS的單片集成。利用基于IFO技術的薄膜SOI高低壓兼容工藝，研制成功64位、80V、20mAPDP尋址驅(qū)動電路和用于某軍用裝置的120V、100mA高壓大電流控制電路。3、提出NFFP高壓互連結構。通過求解二維泊松方程，建立具有HVI的單RESURF(ReducedSURfaceField)器

3、件表面電場和電勢解析模型，利用Ptop降場層的結終端擴展作用以及圓形器件結構的曲率效應，增強具有HVI的橫向高壓器件漂移區(qū)耗盡，降低高壓互連線對器件擊穿特性的有害影響。實驗與仿真結果表明，器件的擊穿電壓隨著互連線寬度的減小而增加，并與Ptop降場層濃度存在強的依賴關系，三維仿真結果與實驗結果較吻合，而二維仿真并不能較好反映具有HVI的高壓器件擊穿特性?；贜FFP高壓互連結構和硅基薄外延BCD兼容工藝，研制成功880V高壓半橋驅(qū)動電路，

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