SiC外延生長加熱系統(tǒng)電磁場模擬分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、化學(xué)氣相淀積法(即CVD法)被廣泛地應(yīng)用于碳化硅(SiC)外延生長當(dāng)中，而在SiC材料的生長過程中發(fā)現(xiàn)，CVD設(shè)備反應(yīng)室內(nèi)的溫度場分布是影響SiC晶體薄膜的重要因素之一。用于外延生長的LPCVD設(shè)備中采用了高頻感應(yīng)加熱的方式。由于反應(yīng)室內(nèi)的傳熱條件基本保持不變，因此，反應(yīng)室內(nèi)的電磁場的分布很大程度上決定了溫度場的分布。本文的選題即沿此展開，對LPCVD反應(yīng)室有關(guān)電磁場分布的問題進(jìn)行了研究和分析。 本文介紹了感應(yīng)加熱的基本技術(shù)以及

2、在生長過程中所應(yīng)用到的一些原理和效應(yīng)，推導(dǎo)了感應(yīng)加熱基本方程。簡述了電磁場分析中應(yīng)用較為廣泛的幾種方法，著重介紹了有限元法的原理和特點(diǎn)。 應(yīng)用有限元模擬軟件COMSOL Multiphysics中AC/DC分析模塊，建立了反應(yīng)室有限元分析模型，重點(diǎn)對影響反應(yīng)室內(nèi)電磁場分布的線圈匝數(shù)、電流密度、頻率等感應(yīng)加熱條件進(jìn)行了模擬研究和分析，模擬結(jié)果表明，隨著上述加熱條件的改變，反應(yīng)室內(nèi)電磁場的數(shù)值大小和分布也會有相應(yīng)的變化，根據(jù)模擬結(jié)果

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