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文檔簡介
1、碳化硅(SiliconCarbide)陶瓷具有高耐磨耐腐蝕性、高脆性和低斷裂韌性的特點,傳統(tǒng)的超精密加工方法難以達到高精度表面質量要求。摩擦電化學研拋(Tribo-ElectrochemicalPolishing,TECP)是一種對陶瓷等難加工材料實現(xiàn)表面光滑無損傷加工的新技術。TECP使用金屬基研具和不含游離磨料的研拋液,通過摩擦微峰的化學溶解機理拋光表面;通過電極在金屬研具/陶瓷研拋系統(tǒng)中施加適當電場,使研具表面及研拋陶瓷表面的摩擦
2、化學過程經(jīng)受可控電場的影響。并通過控制在金屬研具和試件間的電壓,來影響材料表面的研拋過程。
本文針對碳化硅陶瓷材料的特點,在自行研制的數(shù)控圓平動研磨試驗機上,研究了碳化硅陶瓷研拋過程中的電摩擦特性,首先對數(shù)控圓平動研磨試驗機進行了模態(tài)分析和結構改進;其次分別考察碳化硅/灰鑄鐵(HT200)和碳化硅/金剛石砂輪配副在不同載荷、電壓、速度等條件下的電摩擦特性,獲得了不同條件下的摩擦系數(shù)的變化規(guī)律;并研究分析了外加電場作用下碳化硅陶
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