深亞微米移動多媒體處理器的節(jié)電技術.pdf

1、如今，集成電路和計算機系統(tǒng)正變得越來越復雜。對于總體系統(tǒng)設計來說，功耗在設計中的地位已變得越來越重要，這是電子工業(yè)發(fā)展的必然趨勢。電子工業(yè)發(fā)展總的趨勢是提供更小、更輕和功能更強大的最終產品。目前許多產品領域中還出現了無線和便攜式的要求，從功率觀點看設計任務將變得更加艱巨。
　　 便攜式產品是IT技術融合、發(fā)展的必然產物，是一個全新的數字多媒體終端。便攜式是我們消費電子娛樂產品的發(fā)展必然趨勢，處于移動狀態(tài)的終端會越來越多，在市場競

2、爭非常激烈的同時，新的技術方案也不斷涌現，引發(fā)新一輪個人便攜多媒體終端及相關配套市場發(fā)展的浪潮，也迎來了前所未有的機遇和挑戰(zhàn)，產品功能日趨完善的同時，電源的穩(wěn)定性以及功耗問題也日顯突出。
　　 飛思卡爾iMX21深亞微米移動多媒體處理器的well bias節(jié)電結構可以對PMOS與NMOS的襯底偏置電壓進行調節(jié)。從靜態(tài)電流的模擬分析中我們能夠看到沒有well bias節(jié)電結構的芯片與帶有well bias節(jié)電結構的芯片相比，漏電流

3、提高了10倍。同時從這些實驗數據中我們能夠得出，P型阱的襯底偏置為-1V，N型阱的襯底偏置為Vdd+0.6V時。整個器件的漏電流最小。
　　 在大多數情形下，對低功耗的要求必須同時滿足對高芯片密度以及高吞吐量電路的同等迫切的要求。在前沿的技術中，降低功耗是一項關鍵人物，特別是隨著晶體管尺寸的縮小而在硅片上增加晶體管密度的情況下。降低功耗也是數字電路設計的一項重要目標。本文討論基于低功耗CMOS電路的各種設計技術。并重點闡明阱極偏