有機光電探測器成膜特性及歐姆電極制作的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著光電子技術的發(fā)展，有機半導體材料被廣泛應用于有機發(fā)光和高效率光電探測器。本文主要討論Al/Ni/ITO/PTCDA/P-Si/Al光電探測器的制作及薄膜制備工藝調節(jié)和性能優(yōu)化。首先對光電探測器的工作原理和參數(shù)進行了分析并闡述PTCDA的材料特性，其次討論了PTCDA/P-Si勢壘的各項電學特性及其在正/反偏壓作用下的能帶結構。隨后，介紹了Al/Ni/ITO/PTCDA/P-Si/Al光電探測器的制作過程。由于薄膜的特性影響器件的性能

2、，所以對于薄膜的晶體結構和成膜特性的研究就變得十分重要。本文從下面幾個方面進行了討論：1.利用AFM分析了PTCDA在p-Si上的成膜特性，討論了溫度和膜厚對于薄膜表面形貌的影響，2。根據(jù)Raman光譜測試結果得到了溫度對于PTCDA分子結構的影響：3.ITO為PTCDA光電探測器的入射光窗口和陽極，其光學和電學性能對制備條件非常敏感，我們詳細討論了磁控濺射工藝條件對于ITO薄膜特性的影響； 最后我們對光電探測器的陽極做了改進，

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