無線接收機(jī)中低噪聲放大器的研究.pdf

1、無線接收機(jī)中低噪聲放大器的研究重慶大學(xué)碩士學(xué)位論文學(xué)生姓名：王國波指導(dǎo)教師：張流強(qiáng)副教授專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)學(xué)科門類：工學(xué)重慶大學(xué)光電工程學(xué)院二OO八年四月重慶大學(xué)碩士學(xué)位論文中文摘要I摘要近年來無線通信的迅猛發(fā)展推動了學(xué)術(shù)界和工業(yè)界對全集成無線收發(fā)機(jī)的研究。無線接收機(jī)射頻前端一度被砷化鎵、硅雙極、BiCMOS等工藝主宰，但隨著CMOS工藝特征尺寸的減小和工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步，CMOS工藝應(yīng)用于射頻前端可達(dá)到較好的性能，所以全集成的

2、CMOS無線收發(fā)機(jī)也已成為一個研究焦點(diǎn)。由于集成射頻前端的發(fā)展需要經(jīng)歷一個過程，使得它和分立射頻器件將在很長時期內(nèi)同時存在。無線接收機(jī)的第一個有源模塊是低噪聲放大器，它要把從天線接收的微弱的信號進(jìn)行放大，所以它的性能尤其是噪聲系數(shù)將直接影響整機(jī)的效果。所以對CMOS低噪聲放大器和分立低噪聲放大器模塊的研究具有一定的實用價值。本文分析了低噪聲放大器的設(shè)計理論、噪聲理論、CMOS工藝中的無源元件以及亞微米的MOS管結(jié)構(gòu)。對螺旋電感的幾何參數(shù)

3、與Q值的關(guān)系進(jìn)行了分析；基于TSMC0.18umRFCMOS工藝設(shè)計了一種插入級間匹配電感的差分低噪聲放大器，并對級聯(lián)級柵寬的選擇在傳統(tǒng)方法基礎(chǔ)上做了優(yōu)化，仿真表明：在400M帶寬內(nèi)增益大于18.36dB、中心頻率增益為19.99dB、噪聲系數(shù)為1.49dB、輸出1dB壓縮點(diǎn)為10dBm、輸出三階交調(diào)點(diǎn)為19dBm；同時也對分立低噪聲放大器進(jìn)行了研究，并設(shè)計了兩個分立低噪聲放大器，其中一個是用分立器件匹配設(shè)計的窄帶的低噪聲放大器，另一個