自體等離子體輔助電子束蒸鍍技術研究.pdf

1、本文提出了一種等離子體輔助電子束蒸發(fā)鍍膜的新工藝方法。這種新工藝方法中，通過在自行設計的離化環(huán)與坩堝之間加上直流電壓，使他們之間產(chǎn)生輝光放電，從而金屬蒸氣被離化而得到等離子體?；迳霞由县撈珘海沟入x子體中的離子加速射入基體，薄膜與基體間的結(jié)合強度從而得到提高。
　　文中測試了不同電極間距及不同蒸發(fā)束流條件下的起輝電壓和維持穩(wěn)定放電的最低電壓，為后續(xù)實驗中放電電壓參數(shù)的選擇提供了依據(jù)。經(jīng)過分析比較，選擇了電極間距l(xiāng)=50mm作為合

2、適的工藝參數(shù)。經(jīng)過實驗發(fā)現(xiàn)，離子流隨基板負偏壓ΔU增大而增大，當ΔU在70V及以上變化時，離子流大小變化不大，基板吸收的離子流達到飽和。在基板接收的離子流達到飽和條件下，離子流的大小與電子束束流和放電電壓有關。進行了輝光放電的伏安特性測試，結(jié)果發(fā)現(xiàn)隨著放電電壓增加，放電電流增加不大，認為放電形式為反常輝光放電。進行了等離子體發(fā)射光譜測試，測試了不同放電電壓下光譜線的強度變化，結(jié)果發(fā)現(xiàn)光譜線強度的變化與相同條件下測得的離子流變化具有較好的