SOI多模干涉型馬赫-曾德光開關機理研究.pdf

1、光電子器件的發(fā)展與應用推動著光通信系統(tǒng)的進步,SOI(Silicon on insulator)光波導技術具有優(yōu)異的電學和光學性能,并且與成熟的硅基CMOS工藝完全兼容,是發(fā)展低成本光子集成回路的重要趨勢之一。光耦合器和光開關都是密集波分復用(DWDM)光通信系統(tǒng)中必不可少的關鍵器件?；谧早R像效應(SIE)的多模干涉(MMI)波導型光耦合器具有結構緊湊、插入損耗低、頻帶寬、制作工藝簡單等優(yōu)點,日益得到重視。本文圍繞基于SOI單模脊形光

2、波導結構的MMI耦合器、光微環(huán)諧振器和馬赫-曾德光開關展開研究工作。 本文首先對光耦合器、微環(huán)諧振結構和SOI技術的基本概念、國外國內外的研究現(xiàn)狀、發(fā)展趨勢和應用前景做了簡單的介紹。分析比較了幾種主要數(shù)值計算方法：光束傳播法(Beam Propagation Method,BPM)、時域有限差分法(Finite Difference Time Domain,FDTD)、有效折射率法(Effective Refractive In

3、dex Method,EIM)等。 然后介紹了單模SOI脊形光波導結構的相關理論,同時結合有效折射率方法設計出滿足單模傳輸?shù)腟OI光波導結構參數(shù),并利用BPM對設計的波導進行理論驗證,其結果表明所設計的波導結構合理可行。接下來概述了多模干涉自鏡像效應的原理和研究方法,分別分析了普通多模干涉自鏡像效應和重疊多模干涉自鏡像效應,設計并優(yōu)化了兩種2×2多模干涉耦合器：1)多模區(qū)長、寬分別為41.8μm、6μm,插入損耗0.110dB,

4、分光比為0.49:0.49的3dB型耦合器；2)多模區(qū)長、寬分別為88.5μm、4μm,插入損耗0.058dB,分光比為0.83:0.12的85:15型耦合器。 在上述分析設計的基礎上開展了基于MMI耦合器的光微環(huán)諧振腔的研究,并對波導諧振環(huán)模型多個參數(shù)進行了仿真模擬,得出了一系列輸出端口光功率的變化規(guī)律。同時,應用FDTD算法模擬了SOI材料的折射率細微變化所引起的諧振波長偏移性能,以及諧振波長偏移量隨折射率變化量的曲線關系,