GeSi-Si異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）可靠性實(shí)驗(yàn)研究.pdf

1、首先該論文提出了一種新型的GeSi HBT工藝流程,采用這種流程極大地改善了器件穩(wěn)定性、可靠性及其性能.為了高效地評(píng)估器件的可靠性,我們建立并優(yōu)化了器件的可靠性實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)與數(shù)據(jù)分析系統(tǒng),這種系統(tǒng)具有方便快捷,準(zhǔn)確度高的特點(diǎn). 該論文采用兩種反偏電應(yīng)力方法考察器件的可靠性,一種為傳統(tǒng)的OC應(yīng)力(集電極開(kāi)路,發(fā)射結(jié)反向偏置)方法,另一種為新的方法——FC應(yīng)力(集電結(jié)正向偏置,發(fā)射結(jié)反向偏置)方法.在實(shí)驗(yàn)中我們發(fā)現(xiàn)對(duì)這兩種應(yīng)力,器件的退化與注入

2、的熱載流子的數(shù)量以及能量有關(guān),FC應(yīng)力方法可以加速器件的退化,縮短評(píng)估器件壽命的時(shí)間.為了考察器件的熱穩(wěn)定性,我們還對(duì)器件進(jìn)行了熱應(yīng)力(即高溫存貯)以及熱電組合應(yīng)力實(shí)驗(yàn),發(fā)現(xiàn)熱應(yīng)力使器件特性參數(shù)發(fā)生波動(dòng)與漂移,熱電組合應(yīng)力進(jìn)一步加速器件的退化.為了解釋器件的失效機(jī)理,我們建立了器件的失效模型,并成功地解釋了實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象.在實(shí)驗(yàn)中我們還觀察到,在高V<,CE>和大電流下,重?fù)诫s基區(qū)GeSi HBT出現(xiàn)負(fù)阻現(xiàn)象,我們對(duì)這一現(xiàn)象進(jìn)行了新的解釋,認(rèn)