CuO-ZnO納米材料的制備及性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著納米材料技術的發(fā)展,各種各樣的納米結構材料被制備出來。目前,研究的熱點已經(jīng)轉向人工組裝納米材料及設計相關的納米器件。而一維納米材料因為其獨特的物理化學性質,成為其中研究的熱點。 1.用熱蒸發(fā)的方法在300℃、400℃、500℃、600℃、700℃、800℃下直接在銅片表面生長氧化銅納米線,然后使用XRD、SEM、TEM、HRTEM對氧化銅納米線進行結構和形貌分析。結果表明,反應溫度在500℃～600℃間的氧化銅納米線形貌較好

2、。然后測試450℃下不同生長時間的氧化銅納米線的場致電子發(fā)射性能。結果與理想的場發(fā)射情況不同,本文認為是因為在氧化銅納米線和導電襯底間存在氧化亞銅薄膜引起的。 2.利用氣相沉積法,使鋅在低氧氣氛下生長出一種高缺陷的氧化鋅晶體,通過XRD,TEM對產(chǎn)物進行表征。隨后將氧化鋅晶體在氧氣中,分別在800℃、900℃、1000℃下退火1小時,對氧化鋅晶體做表面修飾。PL光譜實驗和光催化降解實驗表明氧化鋅晶體的氧空位、表面態(tài)和光催化活性間

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