4H-SiC外延材料缺陷的檢測與分析.pdf

1、本文通過化學腐蝕與掃描電子顯微分析相結合的方法對4H-SiC外延材料中的缺陷進行了檢測與分析。目的是確定重復性好的4H-SiC腐蝕工藝，表征4H-SiC同質外延層中缺陷的類型、分布、密度等參數。主要工作如下：
　　 第一，確定了化學腐蝕4H-SiC實驗的流程，在該流程下，用本文確定的腐蝕參數可以得到較好的實驗效果和觀測效果。通過正交實驗確定了4H-SiC化學腐蝕工藝的三個最佳參數，腐蝕溫度470℃，腐蝕時間30分鐘，腐蝕劑為分析

2、純KOH。該工藝參數重復性好，能夠得到清晰的缺陷腐蝕形貌，達到了對4H-SiC材料中位錯進行檢測的目的。
　　 第二，對TED、TSD、BPD三種位錯的腐蝕形貌的形成原因進行分析；對TED、BPD位錯排的形成原因進行分析；說明堆垛層錯本身產生的晶格畸變不大，并且與完整晶格結構交界處為不全位錯，所以用化學腐蝕的方法不能很好的確定堆垛層錯的存在。
　　 第三，通過對腐蝕坑計數的方法，計算得到位錯的面密度。沒有發(fā)現微管的腐蝕形