納米半導體材料的配位—均勻沉淀法合成.pdf

1、本論文以納米材料的研究為背景，以半導體納米材料的制備為重點，介紹了相關納米材料領域中的研究進展和我們的研究工作成果。實驗采用配位—均勻沉淀法，制備了一系列新穎的半導體納米材料。本論文主要由以下三個方面組成：
　　 1. 采用配位—均勻沉淀法成功地合成了Cd(OH)2 納米帶。將Cd(OH)2 納米帶在350 oC 下煅燒4 h 得到形貌相似的CdO 半導體納米材料。通過X 射線衍射（XRD）、掃描電鏡（SEM）、透射電鏡（TEM

2、）、電子選區(qū)衍射（SAED）、紫外—可見光譜（UV-Vis）、熱重分析（TG/DTA）等手段對得到的納米帶進行了表征。研究了反應溫度、反應時間、氨水濃度和不同陰離子對Cd(OH)2 形貌的影響。并初步探討了Cd(OH)2 納米帶的形成過程。
　　 2. 采用配位—均勻沉淀法成功地合成了Cd(OH)2 超長納米線。將Cd(OH)2納米線在350 oC 下煅燒4 h 得到形貌相似的CdO 納米線材料。采用X 射線衍射（XRD）、掃描

3、電鏡（SEM）、透射電鏡（TEM）、元素分析（EDS）、紫外—可見光譜（UV-Vis）等對產物的組成、結構、形態(tài)、光學性能進行了表征，并探討了反應溫度、氨水濃度、硝酸銀用量、煅燒溫度等條件對產物形貌的影響。反應體系中Ag+的引入對一維納米材料的生長有一定的導向作用。
　　 3. 采用配位—均勻沉淀法，制備了具有光催化活性的超細納米ZnO 粉體，并利用透射電鏡（TEM）、X 射線衍射（XRD）、Zeta 電位和紫外—可見光譜（UV