異質(zhì)柵器件的短溝道效應研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著MOSFET器件尺寸的進一步縮小,由于溝道長度的縮短而引起的短溝道效應對器件的影響隨之增加,抑制器件短溝道效應從而提高器件性能就顯得十分重要。
　　 在查閱國內(nèi)外相關(guān)文獻資料的基礎(chǔ)上,通過對MOS器件工作原理的深入分析,本文提出了一個由三種不同柵材料構(gòu)成的新型異質(zhì)柵MOS器件。
　　 采用二維器件模擬軟件ISE-TCAD的Mdraw模塊建立了三異質(zhì)柵MOS器件結(jié)構(gòu)；并用ISE-TCAD的Dessis模塊對所提出器件的

2、輸出特性曲線、亞閾值電壓、溝道電勢隨漏端電壓Id變化曲線的性能進行了仿真模擬。
　　 仿真結(jié)果表明:本文所提出的三異質(zhì)柵器件的導通電流比傳統(tǒng)MOS器件高了1倍,比傳統(tǒng)的雙柵異質(zhì)柵器件提高了5％,說明該器件可以在不犧牲泄露電流的情況下獲得較大的導通電流。溝道電勢與漏端電壓Id變化曲線模擬結(jié)果顯示三異質(zhì)柵器件的漏致勢壘降低(DIBL)效應較??；閾值電壓漂移曲線表明在柵長大于150nm的情況下,三柵異質(zhì)柵器件有著良好的抑制閾值電壓漂移

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