無氰脈沖電沉積銀基—納米復合材料及其性能的研究.pdf

1、隨著全球環(huán)境保護意識的不斷加強，無氰電鍍又被提上議事日程。本文對脈沖無氰鍍銀工藝進行了比較深入的探討，并對銀基納米復合電沉積的影響因素及鍍層性能進行了研究。 通過對含硫化合物、含氮雜環(huán)化合物、聚胺類化合物、氨基酸和表面活性劑等五類有機鍍銀添加劑的研究，得到一種無氰鍍銀光亮劑，同時得出分子結構對稱性相近的添加劑復合使用時有協(xié)合效應。 對脈沖鍍銀工藝進行了研究。得到無氰鍍銀配方為：硝酸銀50-60g/L；硫代硫酸鈉250-3

2、50g/L；焦亞硫酸鉀90-110g/L；硫酸鉀20-30g/L；硼酸25-35g/L；自制光亮劑5ml/L；pH4.2～4.8；溫度10～40℃。單向脈沖條件為：脈寬1ms，占空比10％，電流密度0.6～1.0A/dm2。雙向脈沖條件為：正向脈寬1ms，占空比10％，電流密度0.8A/dm2，正向工作時間100ms；反向脈寬1ms，占空比5％，電流密度0.2A/dm2，反向工作時間20ms。結果得出鍍銀層的抗變色性能是：雙向脈沖所獲鍍

3、層＞單向脈沖所獲鍍層＞直流所獲鍍層。 對銀基納米二氧化硅復合電沉積工藝進行了研究。得到最佳工藝條件是在無氰鍍銀配方基礎上加有納米SiO2微粒含量15g/L，陽離子表面活性劑6mg/L，非離子表面活性劑100mg/L；脈寬0.5ms，占空比40％，電流密度0.7～1.1A/dm2，適當強度的空氣攪拌。該工藝所獲復合鍍層的釬焊性好；硬度和耐腐蝕性能均有顯著提高。 對銀基納米二氧化鈦復合電沉積工藝進行了研究。得到最佳工藝條件是

4、在無氰鍍銀配方基礎上加有納米TiO2含量5g/L，非離子表面活性劑100mg/L；脈寬0.5ms，占空比40％，電流密度0.7～1.1A/dm2，施加與電場方向正交的磁場。該工藝所獲復合鍍層的抗變色性和耐腐蝕性均有明顯增強。 Ag-納米SiO2與Ag-納米TiO2兩種復合鍍層經(jīng)XRD測試得出，復合鍍層在銀原子排布最緊密的晶面(111)上擇優(yōu)取向得到顯著加強，也證實了復合鍍層的結晶更致密，耐腐蝕性提高。 在脈沖電沉積的同時