玻璃盤基硬盤用CoCrPt系記錄介質制備與性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文著重研究了玻璃盤基的兩類極具發(fā)展?jié)摿Φ母呙芏扔涗浗橘|用薄膜材料。第一類是CoCrPt合金，該介質雖然在室溫濺射時矯頑力只有2000 Oe，但經過高溫退火，其矯頑力可達到3600 Oe并且晶粒間交換耦合和剩磁膜積很小。第二類是CoCrPtNb合金，通過選擇適宜的多層結構，該介質即使在室溫下濺射其矯頑力也能高達3000 Oe左右，而且其晶粒很小、尺寸分布很窄。在高溫下退火其矯頑力能大幅度增加。為了得到具有高性能的這兩類CoCr基磁記錄介

2、質，在本論文的研究工作中分別對它們進行了系統(tǒng)研究。1.CoCrPt磁記錄介質使用射頻磁控濺射裝置制備了CoCrPt薄膜，研究了濺射工藝與薄膜的磁性能的依賴關系，Pt含量對薄膜磁性能的影響，Cr底層厚度及CrTi底層的成分對薄膜磁性能和微結構的影響，并對高溫退火對薄膜性能影響進行了機理研究和討論。2.CoCrPtNb磁記錄介質主要討論Nb的含量（濺射態(tài)和退火后）、CrTi底層成分和C籽晶層對薄膜微結構和磁性能的影響及其原因。最終

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