POSS基低介電多孔材料的制備及表征.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、為適應窄線寬制程要求,多孔低介電材料是近年來介電功能領域的研究熱點.該文使用具有功能取代基的籠形倍半硅氧烷作為分子模板劑,研究孔洞大小均勻分布的低介電常數多孔薄膜的制備.并通過表面活性劑結構調控孔洞的大小.對材料制備工藝及表面活性劑結構對材料性能影響進行了研究.主要工作大致有以下幾個方面:1、綜述了國內外低介電材料的研究進展,詳細探討了模板法制備多孔硅材料的機理及應用,并針對目前低介電多孔薄膜的制備和性質方面存在的不足提出了相應的解決辦

2、法.2、合成了帶有八個甲基取代的籠形倍半硅氧烷,并得到了其單晶結構,并通過FTIR、<'29>Si NMR、單晶X射線衍射等現代儀器設備對其結構進行了表征.詳細討論了反應溫度、PH值、加入水量和反應時間對產率的影響,得出了反應的最佳條件,同時對其合成機理進行了探討.3、利用γ-(甲基丙稀酰氧)丙基三甲氧基硅烷水解縮和得到的POSS溶膠作為模板劑制備得到了低介電薄膜材料,討論了旋膜轉速對薄膜厚度的影響.通過原子力顯微鏡、比表面分析儀、橢偏

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