SiO-,2-和Si-,3-N-,4-薄膜的PECVD沉積及在半導體光電子器件中的應用研究.pdf

1、本論文工作是圍繞任曉敏教授任首席科學家的國家重點基礎研究發(fā)展規(guī)劃項目（973計劃項目，項目編號：2010CB327600）“新型光電子器件中的異質兼容集成與功能微結構體系基礎研究”、教育部“長江學者和創(chuàng)新團隊發(fā)展計劃”資助（N0.IRT0609）、“高等學校學科創(chuàng)新引智計劃”（簡稱“111計劃”）（項目編號：B07005）第二批建設項目而展開的。
　　 氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜是物理和化學性能十分優(yōu)良的功能材料，在半導體光電子器

2、件中有著廣泛的應用。氮化硅和二氧化硅薄膜通常利用等離子體增強化學氣相沉積法（Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition PECVD）來制備。PECVD法具有沉積溫度低，沉積速率快，薄膜致密，工藝重復性好等優(yōu)點。本論文對使用PECVD方法沉積薄膜進行了深入研究，總結了沉積工藝參數對沉積薄膜性能的影響，系統(tǒng)研究了氮化硅薄膜和二氧化硅薄膜在半導體光電子器件中的應用，并且系統(tǒng)研究了使用HQ—3型PECVD設

3、備沉積氮化硅和二氧化硅薄膜的工藝條件。以下是論文的主要工作。
　　 1.使用新型HQ—3型PECVD設備在單面拋光硅片（100）襯底上沉積了一系列氮化硅以及二氧化硅薄膜樣品，在實驗過程中系統(tǒng)地改變了沉積的工藝參數（例如沉積溫度，射頻功率，沉積時間以及反應氣體流量配比等）。
　　 2.對實驗所得的氮化硅薄膜樣品進行厚度和折射率的測試，根據測試結果討論了上述工藝參數對氮化硅薄膜的性能（如薄膜厚度以及折射率）的影響，最終通過優(yōu)