RF SOI CMOS工藝器件仿真及電路應(yīng)用研究.pdf

1、近年來(lái)，隨著便攜式系統(tǒng)和無(wú)線通訊系統(tǒng)的迅速發(fā)展，電子產(chǎn)品的消費(fèi)已經(jīng)轉(zhuǎn)移到射頻領(lǐng)域。這為SOI技術(shù)的應(yīng)用開(kāi)辟了廣闊的前景：一方面，由于射頻領(lǐng)域的便攜式系統(tǒng)和無(wú)線通訊系統(tǒng)多數(shù)是使用電池作為能源的，因此降低系統(tǒng)功耗和驅(qū)動(dòng)電壓就成為需要解決的首要問(wèn)題。在這方面，SOI CMOS技術(shù)由于寄生電容小而成為解決功耗問(wèn)題的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。另一方面，射頻領(lǐng)域的發(fā)展要求集成水平和工作頻率提高，耦合噪聲問(wèn)題變得更加關(guān)鍵。采用全氧隔離的SOI CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)了

2、器件和基片之間的完全隔離，顯著降低了高頻RF和數(shù)字、混合信號(hào)器件之間的串?dāng)_現(xiàn)象，從而使耦合噪聲問(wèn)題得到的很大改善。
　　 本論文根據(jù)所承擔(dān)的上海市科委項(xiàng)目要求，參與制定了SOI CMOS電路與器件的設(shè)計(jì)規(guī)則，并繪制了版圖。在這一基礎(chǔ)上，參加了上海貝嶺公司的0.5um SOICMOS工藝平臺(tái)的建設(shè)。利用Silvaco軟件對(duì)SOI CMOS工藝進(jìn)行了模擬仿真。由于該公司SOI藝平臺(tái)在國(guó)內(nèi)屬特種工藝，因此本文所取得的仿真及研究成果對(duì)今

3、后的SOI CMOS工藝的改進(jìn)具有重要意義。
　　 本文研究取得的結(jié)果如下：
　　 1．詳細(xì)介紹了0.5um SOI CMOS的工藝流程，并利用Silvaco軟件對(duì)工藝進(jìn)行仿真。在仿真結(jié)果的基礎(chǔ)上，對(duì)貝嶺公司原有的0.5um體硅工藝進(jìn)行開(kāi)發(fā)和改進(jìn)，為國(guó)內(nèi)SOI CMOS工藝的研究與工藝生產(chǎn)線的建立提供了參考。
　　 2．研究了SOI CMOS器件尤其是PD SOI MOS器件的特性和特殊結(jié)構(gòu)，例如：T型柵，H型柵