適合聲表面波諧振器的ZnO薄膜研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩60頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、隨著信息化檢測技術的發(fā)展，要求更高的傳感器精度和性能。SAW傳感檢測技術是一項較新的傳感技術。由于其靈敏度高、體積小而且便于半導體工藝相集成受到了廣泛的研究。
　　 但是，目前國內(nèi)外大多數(shù)的SAW物理量和化學量傳感器都是基于延遲線振蕩器的。與SAW延遲線(SAWDL)振蕩器相比，雙端SAW諧振器的傳輸特性與高Q延遲線的特性非常類似，但它有幾個重要特點：一是諧振器的插入損耗要小得多；二是諧振器的尺寸很?。蝗锹暠砻娌ㄖC振器調頻范圍

2、比聲表面波延遲線型窄，增加調頻范圍會降低穩(wěn)定度。所以對于聲表面波氣體傳感器來說，研究聲表面波諧振器十分有必要。
　　 另一方面，高性能的ZnO薄膜聲表面波器件要求ZnO薄膜高C軸取向，晶粒致密均勻、表面光滑、缺陷少且薄膜的電阻率高。
　　 本文對于聲表面波諧振器展開了理論分析和研究，并探討了緩沖層對于聲表面波器件缺陷性能的影響。
　　 通過在Si(100)襯底、Ti/Si(100)襯底和Au/Si(100)襯底上

3、分別制備ZnO薄膜，探討了緩沖層對ZnO薄膜結構和缺陷的影響，并利用X射線衍射(XRD)測試了ZnO薄膜的晶體結構及擇優(yōu)取向、利用原子力顯微鏡(AFM)觀察ZnO薄膜的表面粗糙度、利用PL光譜檢測了ZnO薄膜的缺陷、利用半導體參數(shù)分析儀測試了ZnO薄膜的電阻率，重點比較了Ti緩沖層上和Si襯底上ZnO薄膜的性能，分析了Ti緩沖層對于ZnO薄膜缺陷的改善作用。
　　 結果表明在Ti(緩沖層)/Si(100)襯底上、襯底溫度350℃

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論