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文檔簡(jiǎn)介
1、 本文采用射頻磁控濺射法在Si(111)襯底上分別濺射ZnO薄膜和Ga2O3/ZnO薄膜。通過(guò)在空氣和氨氣氣氛下在管式石英爐中對(duì)ZnO薄膜進(jìn)行退火，發(fā)現(xiàn)在空氣氣氛中退火得到了較好的ZnO薄膜，而在氨氣氣氛中650℃退火得到的ZnO薄膜質(zhì)量較好。但隨著退火溫度的升高，ZnO薄膜逐漸揮發(fā)，當(dāng)溫度超過(guò)700℃時(shí)ZnO薄膜完全揮發(fā)。在氨氣氣氛中對(duì)Ga2O3/ZnG進(jìn)行退火氨化時(shí)，發(fā)現(xiàn)高溫下ZnO層完全揮發(fā)，而Ga2O3與NH3反應(yīng)合成GaN一
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