靜電紡絲技術制備無機納米電纜與光催化性質研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著環(huán)境污染的加重，環(huán)境保護引起了人們越來越多的關注。半導體光催化降解有機污染物是一項節(jié)能、清潔，具有廣闊應用前景的新興技術。由于單組分的半導體對太陽光的吸收效率低，光催化活性不高，所以有關半導體光催化劑的改性研究成為人們研究的熱點之一。
　　 本論文中采用同軸靜電紡絲技術制備出了SnO2＠TiO2同軸納米電纜，SnO2＠ZnO同軸納米電纜；采用靜電紡絲技術制各了SnO2/TiO2復合納米纖維，SnO2/ZnO復合納米纖維，Sn

2、O2/ZnO復合納米帶；采用TG-DTA，F(xiàn)TIR，XRD，F(xiàn)ESEM，TEM，EDS等分析測試手段對樣品進行系統(tǒng)地表征。結果表明：納米電纜的直徑為100nm-300nm;納米纖維直徑為100-300nm;納米帶的寬度為2-6μm，厚度為240-600nm。
　　 以甲基橙、羅丹明B和感光廢液為降解目標產物，研究了SnO2＠TiO2和SnO2＠nO同軸納米電纜、SnO2/TiO2和SnO2/ZnO復合納米纖維和SnO2/ZnO復

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