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1、2~5μm中紅外波段是非常重要的大氣窗口,工作于該波段的激光器在軍事和民用的許多領(lǐng)域都有重要的應(yīng)用。本論文利用銻化物材料制備了2μmInGaAsSb/AlGaAsSb雙極級(jí)聯(lián)激光器,結(jié)合隧道結(jié)的光學(xué)、電學(xué)等特性的分析。選擇禁帶寬度較小,遂穿幾率高,且具有較高的折射率的GaSb做為輻射波長(zhǎng)為2μm的InCmAsSb/AlGaAsSb半導(dǎo)體激光器的隧道結(jié)材料。并選擇Be和Te分別作為p型和n型摻雜劑,制備了高質(zhì)量的GaSb隧道結(jié),p+GaS
2、b的厚度30nm,n+GaSb的厚度為60nm。我們采用V80H全固態(tài)源分子束外延設(shè)備對(duì)GaSb隧道結(jié),InGaAsSb/AlGaAsSb應(yīng)變量子阱等材料進(jìn)行了外延生長(zhǎng)。通過(guò)X射線雙晶衍射和光致發(fā)光光譜(PL)方法研究了InGaAsSb/AlGaAsSb應(yīng)變量子阱激光器外延材料的基本性質(zhì)。用X射線衍射儀測(cè)得的曲線中出現(xiàn)了4級(jí)衛(wèi)星峰,PL譜測(cè)量發(fā)光波長(zhǎng)達(dá)到2μm。我們?cè)诙嗔孔于宀牧涎芯康幕A(chǔ)上,利用GaSb重?fù)诫s隧道結(jié)來(lái)實(shí)現(xiàn)兩個(gè)多量子阱激
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