Ni-4H-SiC肖特基二極管輸運(yùn)性質(zhì)及SiC薄膜制備研究.pdf

1、第一章綜述了SiC材料基本的物理化學(xué)性質(zhì)以及SiC材料和器件的研究進(jìn)展.包括SiC的基本結(jié)構(gòu)、同質(zhì)多型、熱學(xué)和光學(xué)性質(zhì)、電學(xué)特性等,以及SiC塊狀單晶和薄膜材料的制備與進(jìn)展.最后還介紹了SiC半導(dǎo)體器件的性能及其研究進(jìn)展,包括肖特基二極管、紫外光電探測(cè)二極管、金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、SiC集成電路等.第二章中,我們采用高真空電子束蒸發(fā)的方法將鎳(Ni)淀積在4H-SiC(0001)面上,制備出良好的Ni/4H-SiC肖特基接觸.測(cè)量了N

2、i/4H-SiC肖特基勢(shì)壘在強(qiáng)磁場(chǎng)和低溫下的I-V特性,并以熱電子發(fā)射理論為基礎(chǔ)結(jié)合弛豫近似玻爾茲曼方程對(duì)Ni/4H-SiC肖特基勢(shì)壘在磁場(chǎng)下的輸運(yùn)性質(zhì)進(jìn)行了初步的分析和計(jì)算,發(fā)現(xiàn)電流的變化與磁場(chǎng)的平方和電壓成線性關(guān)系,和溫度成反比關(guān)系,這與我們的實(shí)驗(yàn)結(jié)果基本符合.第三章中,我們利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積(MOCVD)設(shè)備對(duì)于在Si襯底上生長(zhǎng)SiC薄膜進(jìn)行了初步的研究.利用X射線衍射和掃描電鏡等實(shí)驗(yàn)手段對(duì)反應(yīng)氣體流量比和襯底生長(zhǎng)前期處理對(duì)