單模大模場直徑高濃度摻鉺光纖及相關(guān)器件的研制.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩163頁未讀 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、新型高濃度稀土摻雜光纖及其相關(guān)器件是下一代光網(wǎng)絡和大功率光纖激光器的關(guān)鍵組成部件。本論文在國家重點基礎(chǔ)研究規(guī)劃(973)項目“面向光路交換網(wǎng)絡的光纖器件理論與關(guān)鍵技術(shù)研究”和兩項國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃(863)項目“新型光交換技術(shù)”和“一泵多纖光傳輸技術(shù)的研究”的共同支持下,圍繞著單模大模場直徑高濃度摻鉺光纖及其相關(guān)器件進行了一系列深入的理論和實驗研究工作,獲得了以下創(chuàng)新性成果:
  1.基于稀土離子分層摻雜的思想,提出了一種新型

2、單模大模場直徑高濃度摻鉺光纖的設計方法,在一定程度上解決了傳統(tǒng)MCVD法制作單模摻鉺光纖時大模場直徑與鉺離子高濃度摻雜較難同時實現(xiàn)的問題。理論分析了該型光纖的結(jié)構(gòu)參量與其特性參數(shù)的關(guān)系。結(jié)合實驗室條件,試制出了纖芯為雙層鉺離子摻雜結(jié)構(gòu)的單模大模場直徑高濃度摻鉺光纖樣品,模場直徑為12μm,鉺離子摻雜濃度為5332ppm,1530 nm處峰值吸收系數(shù)為84.253dB/m。對光纖樣品進行了增益性能測試和短線腔光纖激光器的研究工作,結(jié)果表明

3、,這種新型設計方法對制作高品質(zhì)的單模大模場直徑高濃度摻鉺光纖具有較高的參考價值。
  2.理論研究了D型雙包層光纖中各模式能量分布狀態(tài)對泵浦光吸收效率的影響。實驗制作出了D型雙包層高摻鉺光敏光纖樣品,并成功在其上刻寫了反射率為90%(1545.297 nm處)的均勻光纖布拉格光柵,為制作全光纖型大功率光纖激光器用包層泵浦光纖提供了一個良好的選擇。
  3.基于界面能理論,建立了適用于二氧化硅單組分疏松層熱力學研究的數(shù)學模型,

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論