寬帶隙化合物半導(dǎo)體薄膜太陽(yáng)電池研究.pdf

1、　　本文對(duì)I-III-VI族寬帶隙化合物半導(dǎo)體銅鎵硒CuGaSe2(CGS)薄膜材料及太陽(yáng)電池進(jìn)行了詳細(xì)研究。研究?jī)?nèi)容包括：高質(zhì)量CGS薄膜材料的制備及結(jié)構(gòu)和光電特性,化學(xué)水浴法制備CdS薄膜及熱處理工藝,CGS薄膜太陽(yáng)電池的制備及性能。
　　在CGS薄膜的制備方面,主要研究了Cu/Ga比例、生長(zhǎng)溫度和襯底織構(gòu)對(duì)CGS薄膜結(jié)構(gòu)和光電特性的影響。研究發(fā)現(xiàn),(1)隨成分比例Cu/Ga值增大,薄膜的晶粒尺寸增大且分布均勻,結(jié)晶質(zhì)量明顯

2、改善。同時(shí),薄膜電阻率減小,載流子濃度增大；(2)380/500℃以上為理想的CGS薄膜生長(zhǎng)溫度,此時(shí)薄膜的表面形貌較好,結(jié)晶質(zhì)量高且電學(xué)參數(shù)適合制備太陽(yáng)電池；(3)金屬M(fèi)o層是理想的背接觸層,在Mo層上生長(zhǎng)的CGS薄膜晶粒尺寸較大且縱向晶粒分布均勻。而以ZAO為襯底生長(zhǎng)的CGS薄膜性能相對(duì)較差,因此提高透明背接觸材料特性用于生長(zhǎng)高質(zhì)量CGS薄膜并用于疊層太陽(yáng)電池的頂電池至關(guān)重要。
　　在緩沖層硫化鎘(CdS)薄膜研究方面,本論

3、文通過(guò)化學(xué)水浴法在醋酸鎘體系中制備出均勻致密的CdS薄膜,對(duì)其進(jìn)行不同時(shí)間和溫度的低溫?zé)崽幚怼＝Y(jié)果表明,在100℃進(jìn)行5min 熱處理可以增大 CdS 薄膜的晶粒尺寸且使薄膜的結(jié)晶質(zhì)量、電學(xué)性能和光學(xué)性能得到改善。因此在100℃進(jìn)行5min熱處理這一過(guò)程可應(yīng)用于CGS薄膜太陽(yáng)電池,提高太陽(yáng)電池的性能。
　　在CGS薄膜太陽(yáng)電池制備方面,以Mo作為背接觸層制備的CGS薄膜太陽(yáng)電池取得η=1.84%的光電轉(zhuǎn)換效率(Jsc=6.5mA