亞微米MOS器件的熱載流子效應研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著微電子技術的迅速發(fā)展,MOS器件特征尺寸不斷按比例減小,導致熱載流子效應日益嚴重。近三十年來,MOS器件熱載流子效應的研究已經成為了集成電路可靠性問題的重要研究課題。本論文中,根據(jù)MOS器件熱載流子退化的基本過程,對亞微米MOS器件熱載流子應力下的缺陷,器件退化特性和物理機制等可靠性問題進行了研究。熱載流子退化主要歸于電子俘獲、空穴俘獲和界面態(tài)產生。熱載流子退化過程非常復雜并且依賴于應力條件、器件結構、柵氧化層質量。
　　

2、介紹了近年來MOSFET的熱載流子效應研究現(xiàn)狀以及測量技術,總結了器件會遇到四種類型的熱載流子,還詳細討論了N溝道和P溝道MOS器件熱載流子的產生和注入以及與器件工作在高柵壓、中柵壓和低柵壓三種應力條件的關系。并且對界面陷阱和氧化層電荷的產生機制做進一步研究。
　　 針對于從加工工藝上提高熱載流子注入效應,從改善柵氧化層內的電荷和降低橫向電場兩個方面出發(fā),一是利用柵氧化工藝來提高柵氧化層的質量,另一個是利用LDD工藝來降低橫向電

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