4H-SiC厚外延的生長(zhǎng)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、SiC材料因?yàn)槲锢砗碗妼W(xué)特性優(yōu)異,是制備功率器件很有前途的一種材料。制造 SiC功率器件的關(guān)鍵之一,是在 SiC襯底上淀積一層低摻雜濃度的厚外延層。為了制造性能優(yōu)異的 SiC功率器件,本文使用 VP508設(shè)備對(duì)4H-SiC厚外延層的生長(zhǎng)工藝進(jìn)行了研究。
　　主要研究進(jìn)展有:
　　1)SiC的折射率隨光波的頻率變化而變化,在2000cm-1之后趨于穩(wěn)定,在頻率2000cm-1附近選最近的相鄰兩峰,使不同峰值對(duì)應(yīng)的 SiC的折射

2、率接近。由這種選峰方法計(jì)算出來(lái)的結(jié)果和由 SIMS測(cè)試的結(jié)果相比較,發(fā)現(xiàn)其測(cè)試偏差較小。
　　2)在4°偏角的4H-SiC襯底上,分別研究了源氣體流量和載氣流量等工藝條件對(duì)外延層厚度的影響。對(duì)外延厚外延生長(zhǎng)的影響依照重要因素依次為:源氣體流量、載氣流量、壓強(qiáng)、溫度。增大源氣體流量和減小載氣流量,均可以明顯地提高外延生長(zhǎng)速率。生長(zhǎng)溫度越高,生長(zhǎng)速率越大,外延層的表面形貌越不好,缺陷也越多,壓強(qiáng)對(duì)于生長(zhǎng)率的影響比較小。Si/H保持在0

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