氧化鉿薄膜阻變存儲特性及機理研究.pdf

1、隨著高速信息處理技術對存儲器件密度和速度的苛求，當前主流的Flash（基于電荷存儲機理）存儲器特征尺寸正在挑戰(zhàn)物理極限，而同樣具有非揮發(fā)特性的阻變存儲器由于具有結構簡單、尺寸可縮小性好、擦寫速度快、擦寫疲勞特性好等突出優(yōu)點而被認為是下一代非揮發(fā)存儲器最有利的競爭者。尤其是氧化物基阻變存儲器件近年來備受關注，氧化鉿基RRAM被工業(yè)界所看好，目前各大公司及研究機構均在致力于改善器件性能，已經取得較大進展，但在某些性能方面仍然亟待提高，如：較

2、高的操作電流、較大的阻變參數(shù)波動等。本論文主要對基于氧化鉿薄膜，研究了不同頂電極及疊層結構對器件性能的影響，對其阻變特性進行了測試及分析，并對其內在的阻變機理進行了探究。
　　論文基于TiN為底電極，采用磁控濺射方法淀積了氧化鉿功能層，對比了不同頂電極（Ni和Ta）阻變器件并構建了不同疊層器件結構單元；器件制作過程中采用XRD、SEM、EDX、AFM等手段對器件微結構和形貌進行了表征，并基于高低溫探針臺采用半導體參數(shù)分析儀B150

3、0A對器件的電學特性進行了分析表征，取得了如下進展：
　　1、不同頂電極（Ni、Ta）的對比實驗表明：Ni/HfO2/TiN結構阻變單元具有超低功耗雙極性阻變特性，Reset電流可達100nA；而Ta/HfO2/TiN結構阻變器件的雙極性阻變電學特性一致性較好?；贗-V數(shù)據(jù)的擬合對比和電學溫度關系對Ni/HfO2/TiN及Ta/HfO2/TiN結構的阻變機理進行了探索。
　　2、構建了HfOx/HfO2和HfO2/BN兩種

4、不同疊層結構存儲器件，研究其阻變性能并探索了其阻變機理。
　　通過反應濺射淀積較薄的HfOx欠氧插入層，制備了Ta/HfOx/HfO2/TiN疊層結構的阻變器件。其中，欠氧層HfOx是作為提供足量氧空位缺陷的氧空位儲氧層，實現(xiàn)了器件高一致性（Cycle to Cycle和Device to Device）的雙極性阻變特性；同時，通過調節(jié)Reset過程中不同的Stop電壓實現(xiàn)了可控制、穩(wěn)定的、一致性很好的四個組態(tài)的多值存儲特性；器件

5、的電阻轉變機制為氧空位細絲的形成和斷裂，低阻態(tài)的電流傳導機制為歐姆傳導，高阻態(tài)傳導機制為由缺陷主導的空間電荷限制電流效應（SCLC）。
　　通過插入高電阻率、低介電常數(shù)的BN薄膜，制備了Ta/HfO2/BN/TiN疊層結構的雙極性阻變器件，BN薄膜層的插入降低了器件功耗（Reset電流從1mA降到了100μA）；同時，器件的一致性（Cycle to Cycle）也有一定程度的提高，BN薄膜層起到了阻擋電子注入及流出的作用，導致了較