半導體單量子阱中等離激元性質的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、GaN材料是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料,對它的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點。同時元激發(fā)的性質是揭示電子.電子相互作用機制的重要理論根據(jù)。所以,對GaN材料的元激發(fā)性質的研究顯得尤為重要。
　　 本論文中,在單量子阱的模型下,考慮到AlxGa1-xN-GaN界面處的極化效應,由自洽求解的方法得到系統(tǒng)的波函數(shù)和本征能量。
　　 基于無規(guī)相近似下的介電函數(shù)張量理論,在單電子哈密頓量的本征矢空間中推

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